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元器件型号详细信息
原厂型号
QSZ3TR
摘要
TRANS NPN/PNP 12V 3A 5TSMT
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 NPN，PNP（耦合发射器） 12V 3A 280MHz 500mW 表面贴装型 TSMT5
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN，PNP（耦合发射器）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）
12V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
250mV @ 30mA，1.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
270 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
500mW
频率 - 跃迁
280MHz
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
供应商器件封装
TSMT5
基本产品编号
QSZ3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/双极晶体管阵列/Rohm Semiconductor QSZ3TR
相关文档
规格书
1(QSZ3)
PCN 产品变更/停产
1(QSZ3TR Device 28/Jul/2014)
PCN 设计/规格
1(TSMT Package Updates 24/Dec/2014)
HTML 规格书
1(QSZ3)
价格
-
替代型号
-