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GermanySH8M4TB1
元器件型号详细信息
原厂型号
SH8M4TB1
摘要
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 9A，7A 2W 表面贴装型 8-SOP
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A，7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1190pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
基本产品编号
SH8M4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SH8M4TB1CT
SH8M4TB1DKRINACTIVE
SH8M4TB1DKR
SP8M4TB
SP8M4TBTR-ND
SP8M4TBCT-ND
SP8M4TBCT
SP8M4TBDKR
SH8M4TB1CTINACTIVE
SP8M4TBDKR-ND
SH8M4TB1TRINACTIVE
SP8M4TBTR
SH8M4TB1TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor SH8M4TB1
相关文档
规格书
1(SH8M4TB1)
产品培训模块
1(MOSFETs)
特色产品
1(MOSFET ECOMOS)
HTML 规格书
1(SH8M4)
价格
数量: 2500
单价: $7.02059
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $7.02059
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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最小包装数量: 2500
替代型号
型号 : FDS8858CZ
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥8.11000
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