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元器件型号详细信息
原厂型号
IRF9395MTR1PBF
摘要
MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
详情
MOSFET - 阵列 30V 14A 2.1W 表面贴装型 DIRECTFET™ MC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 P 沟道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
64nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3241pF @ 15V
功率 - 最大值
2.1W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DirectFET™ 等距 MC
供应商器件封装
DIRECTFET™ MC
基本产品编号
IRF9395
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF9395MTR1PBF-ND
SP001563804
IRF9395MTR1PBFTR
IRF9395MTR1PBFCT
IRF9395MTR1PBFDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF9395MTR1PBF
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PCN 其他
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HTML 规格书
1(IRF9395M(TR)PBF)
价格
-
替代型号
-