元器件型号详细信息

原厂型号
BSP110,115
摘要
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 520mA(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
520mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 欧姆 @ 150mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
40 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
6.25W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-ND
BSP110,115-ND
BSP110115
568-6812-6

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. BSP110,115

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EDA 模型
1(BSP110,115 by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : FDT1600N10ALZ
制造商 : onsemi
库存 : 2,420
单价. : ¥6.36000
替代类型. : 类似