元器件型号详细信息

原厂型号
IRFBG30
摘要
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
详情
通孔 N 通道 1000 V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 欧姆 @ 1.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
80 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
980 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
125W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFBG30

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix IRFBG30

相关文档

规格书
1(IRFBG30)
其他相关文档
1(Packaging Information)
PCN 产品变更/停产
1(SIL-018-2015-Rev-0 20/May/2015)
HTML 规格书
1(IRFBG30)
EDA 模型
1(IRFBG30 by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : IRFBG30PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 11,728
单价. : ¥20.35000
替代类型. : 直接
型号 : IRFBG30PBF-BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,725
单价. : ¥20.35000
替代类型. : 参数等效
型号 : IRFPG30PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 161
单价. : ¥28.14000
替代类型. : 参数等效
型号 : IXFP4N100Q
制造商 : IXYS
库存 : 334
单价. : ¥47.14000
替代类型. : 类似
型号 : IXFP3N120
制造商 : IXYS
库存 : 2,212
单价. : ¥68.92000
替代类型. : 类似
型号 : STP3NK90Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 917
单价. : ¥16.61000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP3N100P
制造商 : IXYS
库存 : 600
单价. : ¥37.20000
替代类型. : 类似
型号 : STP5NK100Z
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥32.83000
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型号 : STP2N95K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似