元器件型号详细信息

原厂型号
NTR4171PT1G
摘要
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 2.2A(Ta) 480mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
720 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
480mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
NTR4171

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTR4171PT1G-ND
NTR4171PT1GOSDKR
2832-NTR4171PT1GTR
NTR4171PT1GOSTR
ONSONSNTR4171PT1G
NTR4171PT1GOSCT
2156-NTR4171PT1G-OS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTR4171PT1G

相关文档

规格书
1(NTR4171P)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SOT23 16/Sep/2016)
PCN 组装/来源
1(Mold Compound 07/Sep/2019)
HTML 规格书
1(NTR4171P)
EDA 模型
1(NTR4171PT1G by Ultra Librarian)

价格

数量: 75000
单价: $1.03302
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $1.05383
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
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包装: 剪切带(CT)
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.58
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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