English
Spain
Rusia
Italy
GermanyBSF083N03LQ G
元器件型号详细信息
原厂型号
BSF083N03LQ G
摘要
MOSFET N-CH 30V 13A/53A 2WDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Ta），53A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M™
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Ta），53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.2W（Ta），36W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
MG-WDSON-2，CanPAK M™
封装/外壳
3-WDSON
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSF083N03LQ G-ND
BSF083N03LQG
SP000597834
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSF083N03LQ G
相关文档
规格书
1(BSF083N03LQ G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 12/May/2009)
HTML 规格书
1(BSF083N03LQ G)
价格
-
替代型号
-