元器件型号详细信息

原厂型号
DMG3413L-7
摘要
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
95 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
857 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
DMG3413

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

DMG3413L-7DI-ND
-DMG3413L-7DITR
DMG3413L-7DITR
DMG3413L-7DICT
-DMG3413L-7DIDKR
DMG3413L-7DIDKR
-DMG3413L-7DICT
DMG3413L-7DI

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Diodes Incorporated DMG3413L-7

相关文档

规格书
1(DMG3413L)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018)
HTML 规格书
1(DMG3413L)
EDA 模型
1(DMG3413L-7 by Ultra Librarian)

价格

数量: 75000
单价: $0.84195
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.87484
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
单价: $0.95378
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 6000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 3000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000

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