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元器件资讯
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GSID100A120T2C1A
元器件型号详细信息
原厂型号
GSID100A120T2C1A
摘要
IGBT MOD 1200V 200A 800W
详情
IGBT 模块 三相反相器 1200 V 200 A 800 W 底座安装 模块
原厂/品牌
SemiQ
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
SemiQ
系列
Amp+™
包装
散装
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
200 A
功率 - 最大值
800 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值)
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
13.7 nF @ 25 V
输入
三相桥式整流器
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
GSID100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/SemiQ GSID100A120T2C1A
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规格书
1(GSID100A120T2C1A)
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
HTML 规格书
1(GSID100A120T2C1A)
价格
-
替代型号
-
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