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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFB7434PBF
摘要
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
详情
通孔 N 通道 40 V 195A（Tc） 294W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
324 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10820 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
294W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRFB7434
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001575514
2156-IRFB7434PBF
IFEINFIRFB7434PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFB7434PBF
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PCN 其他
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HTML 规格书
1(IRFB7434PBF)
EDA 模型
()
仿真模型
1(IRFB7434PBF Saber Model)
价格
数量: 5000
单价: $9.20832
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.56248
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.27078
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $18.769
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $20.91
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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