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GermanyTPN4R712MD,L1Q
元器件型号详细信息
原厂型号
TPN4R712MD,L1Q
摘要
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVI
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4300 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
42W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPN4R712
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MD,L1Q(M
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q
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规格书
1(TPN4R712MD)
特色产品
()
EDA 模型
1(TPN4R712MD by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $2.42283
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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