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GermanySIB433EDK-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIB433EDK-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 9A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK® SC-75-6
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
58 毫欧 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），13W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SC-75-6
封装/外壳
PowerPAK® SC-75-6
基本产品编号
SIB433
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIB433EDKT1GE3
SIB433EDK-T1-GE3DKR
SIB433EDK-T1-GE3CT
SIB433EDK-T1-GE3TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIB433EDK-T1-GE3
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规格书
1(SIB433EDK)
HTML 规格书
1(SIB433EDK)
价格
数量: 3000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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