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GermanyTPH4R606NH,L1Q
元器件型号详细信息
原厂型号
TPH4R606NH,L1Q
摘要
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 32A（Ta） 1.6W（Ta），63W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSVIII-H
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3965 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），63W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
TPH4R606
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TPH4R606NHL1QDKR
TPH4R606NHL1QTR
TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NHL1QCT
TPH4R606NH,L1Q(M
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TPH4R606NH,L1Q
相关文档
规格书
1(TPH4R606NH)
特色产品
()
EDA 模型
1(TPH4R606NH by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $7.15817
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 5000
单价: $7.34654
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
替代型号
-