元器件型号详细信息

原厂型号
SUP60N10-18P-E3
摘要
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详情
通孔 N 通道 100 V 60A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
18.3 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2600 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.75W(Ta),150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SUP60N10-18P-E3

相关文档

规格书
1(SUP60N10-18P)
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1(Packaging Information)
PCN 产品变更/停产
1(SIL-0632014 16/Apr/2014)
HTML 规格书
1(SUP60N10-18P)

价格

-

替代型号

型号 : PSMN016-100PS,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,603
单价. : ¥17.01000
替代类型. : 类似
型号 : IRF520NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,388
单价. : ¥10.26000
替代类型. : 类似
型号 : STP80NF10
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥29.73000
替代类型. : 类似
型号 : IRF3710ZPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,890
单价. : ¥12.80000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP60N10T
制造商 : IXYS
库存 : 39
单价. : ¥22.34000
替代类型. : 类似
型号 : IRL520NPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,904
单价. : ¥8.98000
替代类型. : 类似
型号 : NTP6412ANG
制造商 : onsemi
库存 : 34
单价. : ¥17.17000
替代类型. : 类似
型号 : RFP12N10L
制造商 : onsemi
库存 : 8,779
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 类似
型号 : IRF8010PBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,960
单价. : ¥20.83000
替代类型. : 类似
型号 : FQP13N10
制造商 : onsemi
库存 : 95
单价. : ¥11.92000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN015-100P,127
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 3,819
单价. : ¥20.19000
替代类型. : 类似
型号 : IPP180N10N3GXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
型号 : STP60NF10
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥23.05000
替代类型. : 类似
型号 : FDP3651U
制造商 : onsemi
库存 : 1,600
单价. : ¥19.00000
替代类型. : 类似