English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTD5NM60-1
元器件型号详细信息
原厂型号
STD5NM60-1
摘要
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详情
通孔 N 通道 600 V 5A（Tc） 96W（Tc） I-PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
STD5NM60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STD5NM60-1-ND
497-12786-5-ND
497-12786-5
497-STD5NM60-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STD5NM60-1
相关文档
规格书
1(STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60)
其他相关文档
1(STD5NM60 View All Specifications)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 22/Nov/2022)
PCN 封装
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML 规格书
1(STD5NM60, STB8NM60, STP8NM60)
价格
数量: 5000
单价: $9.65105
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $10.02224
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.76461
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.99184
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.8125
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.675
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.86
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-