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GermanyIRFS31N20DPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFS31N20DPBF
摘要
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 200 V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
82 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
107 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2370 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFIRFS31N20DPBF
SP001567562
*IRFS31N20DPBF
2156-IRFS31N20DPBF-IT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFS31N20DPBF
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产品培训模块
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特色产品
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PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Tube Pkg Qty Standardization 18/Aug/2016)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRFB31N20DPBF Datasheet)
仿真模型
1(IRFB31N20DPBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : PHB33NQ20T,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,311
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 直接
库存 : 5,311
单价. : ¥16.30000
替代类型. : 直接
型号 : STB30NF20L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥27.66000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥27.66000
替代类型. : 类似
型号 : STB30NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥20.59000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥20.59000
替代类型. : 类似
型号 : STB19NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.46000
替代类型. : 类似
型号 : RCJ300N20TL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
型号 : STB40NF20
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥41.10000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥41.10000
替代类型. : 类似