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元器件型号详细信息
原厂型号
APTMC120HR11CT3AG
摘要
POWER MODULE - SIC MOSFET
详情
MOSFET - 阵列 1200V（1.2kV） 26A（Tc） 125W 底座安装 SP3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
技术
碳化硅（SiC）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
98 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
62nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
950pF @ 1000V
功率 - 最大值
125W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP3
基本产品编号
APTMC120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology APTMC120HR11CT3AG
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规格书
1(APTMC120HR11CT3G)
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APTMC120HR11CT3AG)
价格
-
替代型号
-