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元器件型号详细信息
原厂型号
C3M0065100J-TR
摘要
SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 1000 V 35A（Tc） 113.5W（Tc） TO-263-7
原厂/品牌
Wolfspeed, Inc.
原厂到货时间
90 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Wolfspeed, Inc.
系列
C3M™
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
78 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
660 pF @ 600 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
113.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
C3M0065100
相关信息
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Wolfspeed, Inc. C3M0065100J-TR
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规格书
1(C3M0065100J)
文库
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML 规格书
1(C3M0065100J)
EDA 模型
1(C3M0065100J-TR by Ultra Librarian)
价格
数量: 1600
单价: $96.8482
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1600
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1600
替代型号
-