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GermanyIRF6723M2DTR1P
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF6723M2DTR1P
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详情
MOSFET - 阵列 30V 15A 2.7W 表面贴装型 DIRECTFET™ MA
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.6 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1380pF @ 15V
功率 - 最大值
2.7W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MA
供应商器件封装
DIRECTFET™ MA
基本产品编号
IRF6723
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF6723M2DTR1PDKR
IRF6723M2DTR1PTR
SP001529260
IRF6723M2DTR1PCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P
相关文档
规格书
1(IRF6723M2DTR(1)PbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
()
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Dec/2013)
PCN 组装/来源
1(DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013)
价格
-
替代型号
-