IPN50R650CEATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPN50R650CEATMA1

摘要

MOSFET N-CH 500V 9A SOT223

详情

表面贴装型 N 通道 500 V 9A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ CE

包装

卷带（TR）

Product Status

不适用于新设计

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

500 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

13V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

650 毫欧 @ 1.8A，13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

342 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

5W（Tc）

工作温度

-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-SOT223-3

封装/外壳

TO-261-4，TO-261AA

基本产品编号

IPN50R650

其它名称

IPN50R650CEATMA1TR

IPN50R650CEATMA1-ND

SP001434880

INFINFIPN50R650CEATMA1

IPN50R650CEATMA1DKR

IPN50R650CEATMA1CT

2156-IPN50R650CEATMA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1

价格

数量: 30000

单价: $2.34085
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 15000

单价: $2.40245
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 6000

单价: $2.49486
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 3000

单价: $2.67965
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $2.95685
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.69608
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.6752
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.097
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.92
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $2.95685
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.69608
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.6752
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.097
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.92
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

XLL730256.000000I PF113A-E TAJR684M016RNJ TG-A2030-5-5-1.0 CPS16-NO00A10-SNCSNCNF-RI0GYVAR-W1014-S

IPN50R650CEATMA1

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