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GermanyDMJ65H650SCTI
元器件型号详细信息
原厂型号
DMJ65H650SCTI
摘要
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
详情
通孔 N 通道 650 V 10A（Tc） 31W（Tc） ITO-220AB（TH 类）
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
639 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
31W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220AB（TH 类）
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
基本产品编号
DMJ65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated DMJ65H650SCTI
相关文档
规格书
1(DMJ65H650SCTI)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 02/Nov/2022)
价格
-
替代型号
-