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GermanyNVMFS5113PLWFT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVMFS5113PLWFT1G
摘要
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 10A（Ta），64A（Tc） 3.8W（Ta），150W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
83 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
基本产品编号
NVMFS5113
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NVMFS5113PLWFT1G-ND
488-NVMFS5113PLWFT1GTR
488-NVMFS5113PLWFT1GCT
488-NVMFS5113PLWFT1GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVMFS5113PLWFT1G
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规格书
1(NVMFS5113PL)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Process 30/Sep/2022)
HTML 规格书
1(NVMFS5113PL)
价格
数量: 3000
单价: $11.32124
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1500
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最小包装数量: 1500
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最小包装数量: 1500
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替代型号
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