元器件型号详细信息

原厂型号
STW37N60DM2AG
摘要
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
详情
通孔 N 通道 600 V 28A(Tc) 210W(Tc) TO-247-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
28A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
110 毫欧 @ 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
210W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
STW37

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-16103-5
-497-16103-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STW37N60DM2AG

相关文档

规格书
1(STW37N60DM2AG)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(Wafer 15/Feb/2019)
HTML 规格书
1(STW37N60DM2AG)
EDA 模型
1(STW37N60DM2AG by Ultra Librarian)

价格

数量: 2000
单价: $29.54233
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $30.67856
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $35.2235
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $40.4507
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $48.858
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $54.06
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STW35N60DM2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 35
单价. : ¥53.66000
替代类型. : 参数等效
型号 : IXFX48N60Q3
制造商 : IXYS
库存 : 38
单价. : ¥228.31000
替代类型. : 类似
型号 : IXFR64N60Q3
制造商 : IXYS
库存 : 30
单价. : ¥315.04000
替代类型. : 类似
型号 : IXTH32N65X
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥56.55867
替代类型. : 类似
型号 : IXFH50N60P3
制造商 : IXYS
库存 : 2,719
单价. : ¥87.52000
替代类型. : 类似
型号 : IXFH34N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 100
单价. : ¥67.41000
替代类型. : 类似
型号 : IXKH35N60C5
制造商 : IXYS
库存 : 270
单价. : ¥94.36000
替代类型. : 类似