元器件型号详细信息

原厂型号
IKB20N65EH5ATMA1
摘要
INDUSTRY 14
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 38 A 125 W 表面贴装型 PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
60 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™ 5
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
38 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,20A
功率 - 最大值
125 W
开关能量
560µJ(开),130µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
48 nC
25°C 时 Td(开/关)值
19ns/160ns
测试条件
400V,20A,32 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
80 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3
基本产品编号
IKB20N65

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IKB20N65EH5ATMA1-ND
448-IKB20N65EH5ATMA1CT
SP001502642
448-IKB20N65EH5ATMA1TR
448-IKB20N65EH5ATMA1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IKB20N65EH5ATMA1

相关文档

规格书
1(IKB20N65EH5)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 18/Jan/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IKB20N65EH5)

价格

数量: 500
单价: $17.07856
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $17.48018
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 100
单价: $20.0624
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.485
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $27.27
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.07856
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.0624
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.485
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $27.27
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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