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GermanySI8497DB-T2-E1
元器件型号详细信息
原厂型号
SI8497DB-T2-E1
摘要
MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 13A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-microfoot
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1320 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.77W（Ta），13W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-microfoot
封装/外壳
6-UFBGA
基本产品编号
SI8497
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI8497DB-T2-E1DKR
SI8497DB-T2-E1TR
SI8497DBT2E1
SI8497DB-T2-E1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI8497DB-T2-E1
相关文档
规格书
1(Si8497DB)
环保信息
()
HTML 规格书
1(Si8497DB)
价格
数量: 3000
单价: $1.65612
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
替代型号
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