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GermanyAIHD10N60RFATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
AIHD10N60RFATMA1
摘要
IC DISCRETE 600V TO252-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 20 A 150 W 表面贴装型 PG-TO252-3-313
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
30 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.5V @ 15V，10A
功率 - 最大值
150 W
开关能量
190µJ（开），160µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
64 nC
25°C 时 Td（开/关）值
12ns/168ns
测试条件
400V，10A，26 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
基本产品编号
AIHD10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies AIHD10N60RFATMA1
相关文档
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(AIHD10N60RF)
价格
-
替代型号
型号 : IKD10N60RATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,001
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 参数等效
库存 : 2,001
单价. : ¥13.20000
替代类型. : 参数等效