元器件型号详细信息

原厂型号
IXTH67N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 67A TO247
详情
通孔 N 通道 100 V 67A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
IXYS
系列
MegaMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
67A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25 毫欧 @ 33.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
260 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247(IXTH)
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IXTH67

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/IXYS IXTH67N10

相关文档

规格书
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)
环保信息
1(Ixys IC REACH)
HTML 规格书
1(IXT(H,M,T) 67N10, 75N10)

价格

数量: 30
单价: $85.38633
包装: 管件
最小包装数量: 30

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