English
Spain
Rusia
Italy
GermanyHGTP10N120BN
元器件型号详细信息
原厂型号
HGTP10N120BN
摘要
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
详情
IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W 通孔 TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，10A
功率 - 最大值
298 W
开关能量
320µJ（开），800µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
100 nC
25°C 时 Td（开/关）值
23ns/165ns
测试条件
960V，10A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220-3
基本产品编号
HGTP10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HGTP10N120BN-ND
HGTP10N120BNFS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGTP10N120BN
相关文档
规格书
()
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(TO220B03 Pkg Drawing)
价格
-
替代型号
型号 : IXGP20N120B3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥55.01000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥55.01000
替代类型. : 类似
型号 : IXA20I1200PB
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥42.29000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥42.29000
替代类型. : 类似
型号 : IXYP20N120C3
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥52.23000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥52.23000
替代类型. : 类似
型号 : APT33GF120BRG
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥73.22000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥73.22000
替代类型. : 类似