元器件型号详细信息

原厂型号
NVB60N06T4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 60A(Ta) 2.4W(Ta),150W(Tj) D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
60A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
81 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3220 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),150W(Tj)
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
NVB60

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-NVB60N06T4G-ONTR-ND
2156-NVB60N06T4G
ONSONSNVB60N06T4G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVB60N06T4G

相关文档

环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018)
EDA 模型
1(NVB60N06T4G by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : FDB13AN06A0
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