English
Spain
Rusia
Italy
GermanyUF3SC065040D8S
元器件型号详细信息
原厂型号
UF3SC065040D8S
摘要
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 18A（Tc） 125W（Tc） 4-DFN（8x8）
原厂/品牌
Qorvo
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Qorvo
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
58毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 12 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
4-DFN（8x8）
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
UF3SC065040
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2312-UF3SC065040D8SDKR
2312-UF3SC065040D8STR
2312-UF3SC065040D8SCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Qorvo UF3SC065040D8S
相关文档
规格书
1(UF3SC065040D8S)
视频文件
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(UF3SC0650 08/Sep/2021)
PCN 组装/来源
1(UF3SC065 A/T Chg 11/Jun/2021)
HTML 规格书
1(UF3SC065040D8S)
价格
-
替代型号
-