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GermanyIRF7807TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF7807TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF7807TRPBF-ND
IRF7807PBFCT
IRF7807TRPBFTR-ND
*IRF7807TRPBF
2156-IRF7807TRPBF
SP001570502
IRF7807PBFTR
IRF7807PBFDKR
IFEINFIRF7807TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF7807TRPBF
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1(Mult Dev EOL 9/Apr/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 28/Aug/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRF7807PbF/APbF)
EDA 模型
1(IRF7807TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRF7807 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IRF8707TRPBF
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