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Germany70T651S12DR
元器件型号详细信息
原厂型号
70T651S12DR
摘要
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
详情
SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 9Mb 并联 12 ns 208-PQFP（28x28）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
6
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 双端口，异步
存储容量
9Mb
存储器组织
256K x 36
存储器接口
并联
写周期时间 - 字，页
12ns
访问时间
12 ns
电压 - 供电
2.4V ~ 2.6V
工作温度
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
208-BFQFP
供应商器件封装
208-PQFP（28x28）
基本产品编号
70T651
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT70T651S12DR
IDT70T651S12DR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 70T651S12DR
相关文档
规格书
1(70T651/9S)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 15/Sep/2017)
PCN 设计/规格
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
价格
-
替代型号
型号 : 70T651S10BFG
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥2,526.88429
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥2,526.88429
替代类型. : 类似