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GermanyIPB65R190CFDATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB65R190CFDATMA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 17.5A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 730µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1850 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB65R190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB65R190CFD
IPB65R190CFDDKR-ND
IPB65R190CFDCT
IPB65R190CFD-ND
IPB65R190CFDATMA1CT
IPB65R190CFDATMA1DKR
IPB65R190CFDATMA1TR
IPB65R190CFDTR-ND
SP000905378
IPB65R190CFDDKR
IPB65R190CFDCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB65R190CFDATMA1
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PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPx65R190CFD)
EDA 模型
1(IPB65R190CFDATMA1 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V CFD2 Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $14.80467
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $15.38298
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
数量: 1
单价: $30.69
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $30.69
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPB65R190CFDATMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥30.69000
替代类型. : MFR Recommended
库存 : 0
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库存 : 117
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