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GermanyCTLDM303N-M832DS TR
元器件型号详细信息
原厂型号
CTLDM303N-M832DS TR
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS
详情
MOSFET - 阵列 30V 3.6A 1.65W 表面贴装型 TLM832DS
原厂/品牌
Central Semiconductor Corp
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Central Semiconductor Corp
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 1.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
13nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
590pF @ 10V
功率 - 最大值
1.65W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
TLM832DS
基本产品编号
CTLDM303N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
CTLDM303N-M832DS CT-ND
-CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS TR-ND
-CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DS TR LEAD FREE
-CTLDM303N-M832DSDKR
CTLDM303N-M832DSDKR
-CTLDM303N-M832DS DKR-ND
CTLDM303N-M832DS DKR-ND
CTLDM303N-M832DSCT
CTLDM303N-M832DS DKR
CTLDM303N-M832DS CT
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR
-CTLDM303N-M832DS TR-DKR-ND
-CTLDM303N-M832DS TR-ND
-CTLDM303N-M832DS CT-ND
-CTLDM303N-M832DS TR
-CTLDM303N-M832DS TR-CT-ND
CTLDM303N-M832DS TR PBFREE
CTLDM303N-M832DSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS TR
相关文档
规格书
1(CTLDM303N-M832DS)
环保信息
1(RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 5/Apr/2018)
价格
-
替代型号
型号 : ZXMN3AMCTA
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 41
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
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