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GermanyFZ750R65KE3C1NOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
FZ750R65KE3C1NOSA1
摘要
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 单开关 6500 V 750 A 3000000 W 底座安装 A-IHV190-6
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
42 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
单开关
电压 - 集射极击穿（最大值）
6500 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
750 A
功率 - 最大值
3000000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.4V @ 15V，750A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
205 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-50°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
A-IHV190-6
基本产品编号
FZ750R65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
448-FZ750R65KE3C1NOSA1
SP001670350
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies FZ750R65KE3C1NOSA1
相关文档
规格书
1(FZ750R65KE3)
HTML 规格书
1(FZ750R65KE3)
价格
数量: 1
单价: $1272092.55
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-