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GermanyBSM75GB170DN2HOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM75GB170DN2HOSA1
摘要
IGBT MOD 1700V 110A 625W
详情
IGBT 模块 半桥 1700 V 110 A 625 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1700 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
110 A
功率 - 最大值
625 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
3.9V @ 15V，75A
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
11 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM75G
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
INFINFBSM75GB170DN2HOSA1
2156-BSM75GB170DN2HOSA1
SP000100464
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1
相关文档
规格书
1(BSM75GB170DN2)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device EOL Update 7/Jul/2016)
HTML 规格书
1(BSM75GB170DN2)
价格
-
替代型号
型号 : APTGT300A170G
制造商 : Microchip Technology
库存 : 0
单价. : ¥3,357.19000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥3,357.19000
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