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GermanySCT2750NYTB
元器件型号详细信息
原厂型号
SCT2750NYTB
摘要
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
详情
表面贴装型 N 通道 1700 V 5.9A（Tc） 57W（Tc） TO-268
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
41 周
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
975 毫欧 @ 1.7A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
275 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
基本产品编号
SCT2750
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SCT2750NYTBDKR
SCT2750NYTBTR
SCT2750NYTBCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Rohm Semiconductor SCT2750NYTB
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价格
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