元器件型号详细信息

原厂型号
PSMN2R8-80BS,118
摘要
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
15 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
139 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
9961 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
306W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
PSMN2R8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

1727-7107-1
PSMN2R880BS118
568-9477-6
568-9477-2-ND
934065176118
568-9477-1-ND
1727-7107-6
568-9477-1
568-9477-2
568-9477-6-ND
1727-7107-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. PSMN2R8-80BS,118

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规格书
1(PSMN2R8-80BS)
PCN 组装/来源
1(Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(PSMN2R8-80BS)

价格

数量: 2400
单价: $15.04549
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $15.83735
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 800
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