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Germany2N7635-GA
元器件型号详细信息
原厂型号
2N7635-GA
摘要
TRANS SJT 650V 4A TO257
详情
通孔 650 V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
原厂/品牌
GeneSiC Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
-
包装
散装
产品状态
停产
FET 类型
-
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）（165°C）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
415 毫欧 @ 4A
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
324 pF @ 35 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
47W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 225°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-257
封装/外壳
TO-257-3
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA
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价格
-
替代型号
-