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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH7911TR2PBF
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 13A，28A 2.4W，3.4W 表面贴装型 PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
剪切带（CT）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A，28A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.6 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1060pF @ 15V
功率 - 最大值
2.4W，3.4W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
18-PowerVQFN
供应商器件封装
PQFN（5x6）
基本产品编号
IRFH7911
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
2（1 年）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH7911TR2PBFCT
IRFH7911TR2PBFDKR
IRFH7911TR2PBFTR
SP001565986
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRFH7911TR2PBF
相关文档
规格书
1(IRFH7911PBF)
环保信息
1(PQFN 5x6 RoHS Compliance)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 13/Nov/2013)
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRFH7911PBF)
价格
-
替代型号
-