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GermanyIPD038N04NGBTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD038N04NGBTMA1
摘要
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4500 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD038N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPD038N04NGBTMA1DKR
IPD038N04N GCT-ND
IPD038N04N GDKR
IPD038N04N GDKR-ND
IPD038N04NGBTMA1TR
IPD038N04N GCT
SP000391507
IPD038N04N G-ND
IPD038N04NGBTMA1CT
IPD038N04NG
IPD038N04N G
IPD038N04N GTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD038N04NGBTMA1
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规格书
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 26/Jul/2012)
HTML 规格书
1(IPD038N04N G)
价格
-
替代型号
型号 : IPD038N06N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥14.47000
替代类型. : 直接
型号 : AUIRFR8403TRL
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥19.16000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥19.16000
替代类型. : 类似
型号 : AUIRFR8403
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 88
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
型号 : IRLR3114ZTRPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,187
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
型号 : STD120N4LF6
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 50,250
单价. : ¥17.97000
替代类型. : 类似
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型号 : NTD5802NT4G
制造商 : onsemi
库存 : 12,355
单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥13.67000
替代类型. : 类似
型号 : NP60N04VUK-E1-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 1,720
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似