English
Spain
Rusia
Italy
Germany2N7000-D26Z
元器件型号详细信息
原厂型号
2N7000-D26Z
摘要
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 60 V 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
基本产品编号
2N7000
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2N7000-D26ZTR
2N7000_D26ZDKR-ND
2N7000_D26ZDKRINACTIVE-ND
2N7000_D26Z-ND
2N7000-D26ZDKRINACTIVE
2N7000D26Z
2N7000_D26ZCT
ONSONS2N7000-D26Z
2N7000_D26ZCT-ND
2N7000-D26ZCT
2N7000_D26Z
2N7000_D26ZTR
2N7000_D26ZTR-ND
2156-2N7000-D26Z-OS
2N7000_D26ZDKRINACTIVE
2N7000_D26ZDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi 2N7000-D26Z
相关文档
规格书
1(2N7000 Datasheet)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Transfer)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
价格
数量: 100000
单价: $0.69679
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 50000
单价: $0.71083
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 10000
单价: $0.80523
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 6000
单价: $0.86076
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 2000
单价: $0.91631
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $0.99962
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $1.33272
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $1.7768
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $2.608
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $3.26
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : 2N7000-G
制造商 : Microchip Technology
库存 : 12,096
单价. : ¥3.97000
替代类型. : 类似
库存 : 12,096
单价. : ¥3.97000
替代类型. : 类似