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GermanyCSD17313Q2Q1T
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD17313Q2Q1T
摘要
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 5A（Ta） 2.4W（Ta），17W（Tc） 6-WSON（2x2）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
250
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 4A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
340 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），17W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-WSON（2x2）
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
基本产品编号
CSD173
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
296-CSD17313Q2Q1TCT
296-CSD17313Q2Q1TTR
CSD17313Q2Q1T-ND
2156-CSD17313Q2Q1T-296
296-CSD17313Q2Q1TDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD17313Q2Q1T
相关文档
规格书
1(CSD17313Q2Q1)
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(CSD173 10-21-22)
PCN 设计/规格
1(Marking Standardization 29/Jan/2015)
制造商产品页面
1(CSD17313Q2Q1T Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17313Q2Q1)
EDA 模型
1(CSD17313Q2Q1T by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $4.10071
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
数量: 6250
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最小包装数量: 250
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250
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最小包装数量: 250
替代型号
型号 : CSD17313Q2T
制造商 : Texas Instruments
库存 : 26,443
单价. : ¥9.46000
替代类型. : MFR Recommended
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