English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFPF2C110BI07AS2
元器件型号详细信息
原厂型号
FPF2C110BI07AS2
摘要
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
详情
IGBT 模块 半桥 650 V 40 A 300 W 通孔 F2
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
IGBT 类型
-
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
功率 - 最大值
300 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，40A
电流 - 集电极截止（最大值）
250 µA
输入
标准
NTC 热敏电阻
是
工作温度
-40°C ~ 150°C
安装类型
通孔
封装/外壳
30-DIP 模块
供应商器件封装
F2
基本产品编号
FPF2C110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/onsemi FPF2C110BI07AS2
相关文档
规格书
1(FPF2C110BI07AS2)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
价格
-
替代型号
-