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GermanyDMHC4035LSDQ-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMHC4035LSDQ-13
摘要
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
详情
MOSFET - 阵列 40V 4.5A（Ta），3.7A（Ta） 1.5W（Ta） 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
27 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 和 2 P 沟道（半桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.5A（Ta），3.7A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
45 毫欧 @ 3.9A，10V，65 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.9nC @ 4.5V，5.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
574pF @ 20V，587pF @ 20V
功率 - 最大值
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
DMHC4035
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
31-DMHC4035LSDQ-13DKR
31-DMHC4035LSDQ-13CT
DMHC4035LSDQ-13-ND
31-DMHC4035LSDQ-13TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMHC4035LSDQ-13
相关文档
规格书
1(DMHC4035LSDQ)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
EDA 模型
1(DMHC4035LSDQ-13 by Ultra Librarian)
价格
数量: 12500
单价: $3.59005
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500
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