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元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN2A04DN8TC
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
详情
MOSFET - 阵列 20V 5.9A 1.8W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 5.9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.1nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1880pF @ 10V
功率 - 最大值
1.8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
ZXMN2
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC
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规格书
1(ZXMN2A04DN8)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
HTML 规格书
1(ZXMN2A04DN8)
价格
-
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