元器件型号详细信息

原厂型号
CTLDM7120-M621H TR
摘要
MOSFET N-CH 20V 1A TLM621H
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1A(Ta) 1.6W(Ta) TLM621H
原厂/品牌
Central Semiconductor Corp
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Central Semiconductor Corp
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
100 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
220 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.6W(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TLM621H
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

CTLDM7120-M621H CT-ND
CTLDM7120-M621H DKR
CTLDM7120-M621H CT
CTLDM7120-M621H DKR-ND
CTLDM7120-M621H TR-ND
CTLDM7120-M621H TR PBFREE
CTLDM7120-M621HCT
CTLDM7120-M621HTR
CTLDM7120-M621HDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR

相关文档

规格书
1(CTLDM7120-M621H)
环保信息
1(RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 07/Aug/2018)

价格

-

替代型号

-