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GermanyCTLDM7120-M621H TR
元器件型号详细信息
原厂型号
CTLDM7120-M621H TR
摘要
MOSFET N-CH 20V 1A TLM621H
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 1A（Ta） 1.6W（Ta） TLM621H
原厂/品牌
Central Semiconductor Corp
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Central Semiconductor Corp
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TLM621H
封装/外壳
6-XFDFN 裸露焊盘
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
CTLDM7120-M621H CT-ND
CTLDM7120-M621H DKR
CTLDM7120-M621H CT
CTLDM7120-M621H DKR-ND
CTLDM7120-M621H TR-ND
CTLDM7120-M621H TR PBFREE
CTLDM7120-M621HCT
CTLDM7120-M621HTR
CTLDM7120-M621HDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M621H TR
相关文档
规格书
1(CTLDM7120-M621H)
环保信息
1(RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 07/Aug/2018)
价格
-
替代型号
-