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GermanyIPP60R299CPXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP60R299CPXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
299 毫欧 @ 6.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
96W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R299
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPP60R299CP
448-IPP60R299CPXKSA1
IPP60R299CPX
SP000084280
IPP60R299CPAKSA1
IPP60R299CPIN-NDR
IPP60R299CPXK
IPP60R299CPXKSA1-ND
IPP60R299CPXTIN-ND
IPP60R299CPXTIN
IPP60R299CPIN
IPP60R299CPIN-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP60R299CPXKSA1
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HTML 规格书
1(IPP60R299CP)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $13.05721
包装: 管件
最小包装数量: 1
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替代型号
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