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GermanySTGB5H60DF
元器件型号详细信息
原厂型号
STGB5H60DF
摘要
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
详情
IGBT 沟槽型场截止 600 V 10 A 88 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V，5A
功率 - 最大值
88 W
开关能量
56µJ（开），78.5µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
43 nC
25°C 时 Td（开/关）值
30ns/140ns
测试条件
400V，5A，47 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
134.5 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
STGB5
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-497-16478-1
-497-16478-2
2266-STGB5H60DF
497-16478-6
497-16478-1
497-16478-2
-497-16478-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGB5H60DF
相关文档
规格书
1(STG(B,D,F,P)5H60DF Datasheet)
设计资源
1(STGB5H60DF PSpice Model)
PCN 组装/来源
1(IGBT/IPM TFS A/T Add 22/Oct/2021)
HTML 规格书
1(STG(B,D,F,P)5H60DF Datasheet)
EDA 模型
1(STGB5H60DF by Ultra Librarian)
价格
数量: 10000
单价: $4.47865
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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替代型号
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