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GermanyHUF75307T3ST
元器件型号详细信息
原厂型号
HUF75307T3ST
摘要
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 2.6A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223-4
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
HUF75
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi HUF75307T3ST
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规格书
1(HUF75307T3ST)
环保信息
1(onsemi RoHS)
HTML 规格书
1(HUF75307T3ST)
价格
-
替代型号
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制造商 : STMicroelectronics
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制造商 : STMicroelectronics
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